新型X射线影像存储屏的研究  

作　　者：王永生[1] 孟宪国[1] 何大伟[1] 

机构地区：[1]北京交通大学光电子技术研究所,发光与光信息技术教育部重点实验室,北京100044

出　　处：《科学通报》2009年第20期3079-3082,共4页Chinese Science Bulletin

基　　金：国家自然科学基金(批准号:60877025);北京市科技计划项目(编号:Z08000303220803);北京自然科学基金(编号:2092024);国家杰出青年科学基金(批准号:60825407)资助项目

摘　　要：室温下在Eu2+掺杂的BaBrCl中,发现经X射线辐照后的光激励发光(PSL).光激励谱和差吸收谱(DAS)基本相同,均为峰值波长位于550和675nm处的宽带谱,表明经X射线辐照后F心形成.这使得用半导体激光器代替气体激光器作为读出光源成为可能.PSL强度与X射线辐照剂量呈线性关系,转化效率为BaFBr:Eu富士IP板的29%.

关 键 词：光激励发光 色心 电子俘获 

分 类 号：TP333[自动化与计算机技术—计算机系统结构]