先进磁电子材料和器件  

Advanced Spintronic Materials and Devices

作　　者：钱正洪[1,2] 白茹[1] 黄春奎 吴建得 

机构地区：[1]杭州电子科技大学,浙江杭州310018 [2]东方微磁科技有限责任公司,湖北宜昌443003

出　　处：《仪表技术与传感器》2009年第B11期96-101,共6页Instrument Technique and Sensor

基　　金：中国高技术研究发展计划(863)(2007AA042104)

摘　　要：总结了包括巨磁阻传感器、磁电耦合器件和磁性存储器件在内的几类主要的先进磁电子器件。分别介绍了这几类器件的材料、结构、工作原理和器件性能,以及它们的用途。在此基础之上,展望了磁电子材料和器件领域的发展前景和发展方向。Advanced spintronic devices including giant magnetoresistance （GMR） sensors, magnetic isolators and magnetic random access memory （MRAM） are reviewed from a perspective of materials, design, and fabrication as well as device functionalities. In addition, the future development trend of advanced spintronic materials and devices is outlined.

关 键 词：磁电子器件 巨磁阻传感器 磁电耦合器件 磁性存储器件 巨磁阻材料 磁隧道结材料 

分 类 号：TN01[电子电信—物理电子学]