低维Ⅳ元素半导体纳米材料制备方法的研究进展  

Progress in Preparation of Nano-sizedⅣElement Semiconductors Materials

作　　者：吴海平[1,2] 张国庆[1] 王辉[2] 夏燕萍[2] 陶宇[2] 陶国良[1] 

机构地区：[1]浙江理工大学先进纺织材料与制备技术教育部重点实验室,杭州310018 [2]江苏工业学院,常州213164

出　　处：《材料导报（纳米与新材料专辑）》2009年第2期75-78,共4页

基　　金：浙江理工大学教育部重点实验开放基金(2008005)

摘　　要：低维半导体纳米材料由于具备许多特殊的电学及光学性能,近年来受到研究学者的广泛关注。综述了近期国内外低维Ⅳ族元素半导体纳米材料制备方法的研究进展,并对已经报道的制备方法进行了分类和总结,展望了低维元素半导体的研究前景。Low-dimensional semiconductors nanomaterials attract much attention due to their special electrical and optical properties. The progress in preparation of nano-sized Ⅳ element semiconductors is summarized, and these synthesis methods are classified. The further research foreground is put forward.

关 键 词：纳米材料 半导体 硅 锗 

分 类 号：TB383[一般工业技术—材料科学与工程] TN304.12[电子电信—物理电子学]