双口RAM设计调试  

作　　者：关红宾[1] 

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第二十研究所,陕西西安710072

出　　处：《科技信息》2009年第29期I0406-I0407,共2页Science & Technology Information

摘　　要：本文介绍双口RAM的设计调试,主要就电平的匹配,握手应答信号等方面进行设计,并针对调试中出现的问题(如器件选型不当、逻辑设计不完善、低温异常)给予分析。Basing on Dual ram design and debugging, the paper designs level matching and handshake signal ,analysis the questions emerging in debugging detailedly,and so on low temperature unusual,logical design faultiness ,element selected improper.

关 键 词：双口 RAM 电平匹配 握手应答信号 

分 类 号：TP274.2[自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置] TP302.2[自动化与计算机技术—控制科学与工程]