硅纳米孔柱阵列的场致电子发射  

Field emission from silicon nanoporous pillar array

作　　者：富笑男[1] 符建华[1] 罗艳伟[1] 李坤[1] 程莉娜[1] 李新建[2] 

机构地区：[1]河南工业大学理学院,河南郑州450001 [2]郑州大学物理系,材料物理教育部重点实验室,河南郑州450052

出　　处：《功能材料》2009年第12期2071-2073,2076,共4页Journal of Functional Materials

基　　金：国家自然科学基金资助项目(10574112);河南省教育厅自然科学基金资助项目(2007140003);河南工业大学科研基金资助项目(07XJC010);河南工业大学博士基金资助项目(2007BS009)

摘　　要：测试了用水热技术制备的硅纳米孔柱阵列(silicon nanoporous pillar array(简称Si-NPA))的场致发射性能。测试结果显示,Si-NPA的开启电场为约1.48V/μm;在5V/μm的外加电场下,其发射电流密度为28.6μA/cm2;在外加电场4.4V/μm时,其电流浮动率为13%。Si-NPA发射性能增强的原因是由于其独特的表面形貌和结构所致。Field emission from silicon nanoporous pillar array （Si-NPA） is studied. The results show that the Si- NPA turn-on field is about 1.48V/um, the emission current density of 28.6uA/cm^2 is obtained to be 5V/um, and the current fluctuation ratio is 13% at 4.4V/um. The enhanced field emission from Si-NPA is attributed to unique surface morphology and structure of Si-NPA.

关 键 词：硅纳米孔柱阵列 场致电子发射 纳米硅 多孔硅 

分 类 号：O462.4[理学—电子物理学]