进气方式对热丝CVD制备金刚石薄膜的影响  

Effect of Reacting Gas Admission Way on HFCVD Diamond Films

作　　者：魏秋平[1,2] 王玲[1] 余志明[1,2] 陈永勤[1] 马莉[2] 龙航宇[1] 

机构地区：[1]中南大学材料科学与工程学院,长沙410083 [2]中南大学粉末冶金国家重点实验室,长沙410083

出　　处：《中国表面工程》2009年第6期36-41,46,共7页China Surface Engineering

基　　金：粉末冶金国家重点实验室开放基金(2008112048);湖南省研究生创新基金(1343-74236000005);中南大学贵重仪器开放共享基金(ZKJ2008001);中南大学优秀博士论文扶持基金(2008yb015)

摘　　要：采用超高真空热丝化学气相沉积(HFCVD)系统,以甲烷和氢气为反应气体,在YG13(WC-13%Co)硬质合金基体上沉积金刚石薄膜。采用场发射扫描电子显微镜(FESEM)和X射线衍射仪(XRD)对金刚石薄膜进行检测分析,研究了反应气体的不同进气方式对金刚石薄膜的影响。结果表明,随着进气方式的改变,基体周围气氛的组成、密度和分布受到影响,金刚石薄膜的形核密度、表面形貌、生长织构均有明显的变化,所得金刚石晶粒的生长参数多为1.5<α<3,3^(1/2)/2<г<3^(1/2)。The diamond films on a WC-13 % Co substrate are deposited under various intaking methods of reacting gas by hot filament chemical vapor deposition （HFCVD） system. The nucleation density, surface morphologies, crystal structures and film texture are investigated by field emission scanning electron microscopy （FESEM） and X-ray diffractometer （XRD）. The results show that, as the gas admission way changed, the composition, distribution and concentration of gas atmosphere were influenced, the nucleation density, surface morphology and growth texture of diamond films also changed correspondingly.

关 键 词：金刚石薄膜 进气方式 硬质合金 晶体形貌 织构 

分 类 号：TG115[金属学及工艺—物理冶金]