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机构地区:[1]宁波大学电路与系统研究所,浙江宁波315211
出 处:《微电子学》2009年第6期802-806,共5页Microelectronics
基 金:国家自然科学基金资助项目(60676017);浙江省科技厅国际合作项目(2007C24017);宁波市自然科学基金资助项目(2006A610091)
摘 要:提出了基于多管并联结构的低功耗低噪声放大器(LNA),讨论了这种结构下噪声与功耗的相互关系,提出了低功耗LNA基于"优化区"概念的设计准则。提出的电路具有结构简单对称的特点。在0.35μm CMOS工艺下进行PSPICE仿真测试。结果表明,新的低噪声放大器在2.5 V电压下功耗仅为110μW,等效输入噪声为16.5 nV/Hz1/2。与已发表的低噪声放大器比较,具有明显的低功耗特点。A low-power LNA based on parallel multi-MOS transistor structure was proposed. The correlation between input noise and power consumption was discussed. Based on the concept of "optimization region", a low power LNA was presented. The proposed circuit has a simple and symmetrical structure. The circuit was simulated based on 0. 35 μm CMOS process using PSPICE. Test results showed that the proposed amplifier only consumed 110μW of power from a 2. 5 V supply, and the equivalent input noise was 16.5 nV/Hz. The proposed LNA has a distinct advantage, in terms of power consumption.
分 类 号:TN432[电子电信—微电子学与固体电子学]
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