T型双量子点自旋二极管  

T-shaped double quantum dots as a spin-diode

作　　者：迟锋[1] 李岩[1] 

机构地区：[1]渤海大学物理系,辽宁锦州121013

出　　处：《渤海大学学报（自然科学版）》2009年第4期346-349,共4页Journal of Bohai University:Natural Science Edition

基　　金：国家自然科学基金(No:10704011);辽宁省教育厅(No:2008Z005)

摘　　要：用非平衡格林函数理论研究T型耦合的双量子点中自旋二极管效应。量子点与两个电子库或引线相耦合,其中的一个是正常金属,另一个为铁磁材料。由于两个引线铁磁性的不对称,流过系统的电荷流或者点中的电子占据数会在一定情况下出现二极管效应,即在正向电压时电流或占据数的自旋极化有极小值,当电压反向时,其自旋极化有极大值。这种自旋二极管效应与通常电子器件中的电荷二极管现象非常相似,在自旋电子学器件中有实际的应用价值。Based on the non-equilibrium Green＇s function technique,the spin-diode effect in a T-shaped double quantum dots device is studied.The quantum dots are coupled to two electron reservoirs or leads with one normal mental and one ferromagnetic metal.Because of the asymmetric of the leads spin polarization,the current and the spin accumulation on the quantum dots will display spin-diode effect.This effect is very analogous to the usual diode effect in traditional electronics device and may have real usage in spintronics.

关 键 词：自旋二极管 量子点 铁磁引线 

分 类 号：O469[理学—凝聚态物理]