微波场作用下Fano效应对量子点电子态密度近藤峰的影响  

Photon-assisted Fano effect on DOS in Kondo resonace quantum dot

作　　者：高鹤[1] 

机构地区：[1]北京理工大学理学院,北京100081

出　　处：《河北科技大学学报》2009年第4期298-301,322,共5页Journal of Hebei University of Science and Technology

摘　　要：讨论了一个微波场辐照下量子点电极耦合体系,当两边电极间存在非共振直接隧穿时量子点上电子态密度的变化情况。用非平衡格林函数方法及吴大琪假设得到了此体系能态密度在相互作用强度U有限情况下的解析表达式。数值计算的结果表明随着背景透射率及库仑相互作用能大小的变化,量子点上电子能态密度共振峰可被增强或减弱,并可能出现新的共振峰结构。Based on the finit-U Anderson model, we use Keldysh nonequilibrium Green＇s function to calculate the DOS （Density of State） in a Kondo resonace quantum dot. Because of interference between the resonant tunneling and the non-resonant tunneling path, the DOS varies with the non-resonant tunneling strength or Coulomb interaction energy prominently, the resonant peaks can be enhanced or reduced, and novel resonant structure may be induced.

关 键 词：量子点耦舍系统 非平衡格林函数 KONDO效应 Fano效应 

分 类 号：O481.3[理学—固体物理]