Ta_2O_5薄膜制备的研究现状及进展  

Recent Situation and Progress in Preparation of Ta_2O_5 Film

作　　者：陈胜龙[1] 杨建广[1] 高亮[1] 

机构地区：[1]中南大学冶金科学与工程学院,长沙410083

出　　处：《材料导报》2010年第1期25-30,共6页Materials Reports

基　　金：国家自然科学基金(50804056);中国博士后基金项目(20080431028)

摘　　要：Ta2O5薄膜具有很好的电学性能和光学性能,制备方法种类繁多,如溶胶-凝胶法(Sol-gel)、化学气相沉积法、电子束蒸发技术、溅射法、Ta层阳极氧化或热氧化法、离子辅助沉积法(IBAD)、原子层沉积法(ALD)等。评述了现有各种制备方法的优缺点,综述了Ta2O5薄膜各种方法制备的条件、薄膜的功能性质等,并评析了金属有机化合物为前驱体制备性能优良的Ta2O5薄膜的前景。Ta2O5 films possess good electrics properties and optics properties. Currently, the preparation methods are classified as sol-gel,CVD, ALD and so on, the merits and demerits of those methods are discussed, the controlling conditions of these fabrication methods and the as-synthesized film＇s properties are summarized. Finally, the prospect of using the metal-organic compound as precursor to prepare excellent performance Ta20s films is also introduced.

关 键 词：TA2O5 薄膜 制备方法 

分 类 号：O484.1[理学—固体物理] TN104.3[理学—物理]