Ni_(80)Fe_(20)/Cu多层膜巨磁电阻与微结构的关系  

作　　者：姜宏伟[1] 罗光明[1] 麦振洪[1] 赖武彦[1] 

机构地区：[1]中国科学院物理研究所磁学国家重点实验室,北京100080

出　　处：《科学通报》1998年第14期1485-1488,共4页Chinese Science Bulletin

基　　金：中国科学院KJ951 A1 4 0 1资助项目

摘　　要：采用磁控溅射方法 ,在不同溅射气压下制备了 ( 1 1 1 )取向的具有巨磁电阻效应的Ni80 Fe2 0 /Cu金属多层膜 .室温下 ,饱和磁电阻值随着Cu层厚度的增加呈振荡变化 ,在Cu层厚度tCu=1 .0 ,2 .2nm时 ,磁电阻出现 2个峰值 .对应于溅射气压为 0 .2 5Pa的样品 ,磁电阻分别为 1 9.4%和 1 1 .6 % ,溅射气压为 0 .45Pa的样品 ,磁电阻分别为 1 1 .2 %和 1 % .采用同步辐射光源在CuK吸收边能量位置 ( 8.989keV)对不同溅射气压下制备的多层膜样品做了X光小角衍射和漫散射 ,标定了界面粗糙度 ,用DAFS (Diffractionanomalousfine structurescat tering)方法研究了NiFe层和Cu层各自的局域结构 .结果表明 :溅射气压对多层膜界面的粗糙度有明显的影响 。

关 键 词：多层膜 巨磁电阻 同步辐射 微结构 铜 镍铁合金 

分 类 号：O484.43[理学—固体物理] O484.1[理学—物理]