量子点红外探测器研究进展  

Development of quantumdot infrared photodetector

作　　者：雷亚贵[1] 于进 张平雷[1] 张冬燕[1] 王戎瑞[1] 

机构地区：[1]华北光电技术研究所,北京100015 [2]国防科工局中心,北京100037

出　　处：《激光与红外》2010年第1期3-8,共6页Laser & Infrared

摘　　要：量子点红外光电探测器(QDIP)凭借自身的优点,未来很有可能与碲镉汞(HgCdTe)红外探测器、量子阱红外光电探测器(QWIP)和非制冷微测辐射热计相竞争。目前,普遍采用自组织方法生长量子点,研究主要集中在:①隧道量子点红外探测器(T-QDIP);②量子阱中量子点(DWELL)红外探测器;③Si基QDIP;④Ge QDIP。本文阐述正在研究的几种QDIP,并对下一代传感器用QDIP进行预测。Quantumdot infrared photodetector （QDIP） will probably compete with HgCdTe, QWIP and uncooled mierobolometer in the future because of itsself merits. Currently, QDs are grown by self-organized method. The study is focused on ①tunneling QDIP（T-QDIP） ;②quantum dots-in-a-well（DWELL） IP;③Si-based QDIP; ④Ge QDIP. Several kinds of QDIP being developed are introduced and the QDIP used for the next-generation sensors are forecasted in this paper.

关 键 词：量子点红外光电探测器 隧道量子点红外探测器 量子阱中量子点 Ge QDIP 

分 类 号：TN215[电子电信—物理电子学]