模板法制备CuO纳米线  

Templating Preparation of CuO Nanowires

作　　者：于冬亮[1] 都有为[2] 

机构地区：[1]江苏教育学院物理系 [2]南京大学物理系

出　　处：《江苏教育学院学报（自然科学版）》2004年第3期10-13,共4页Journal of Jiangsu Institute of Education(Social Science)

基　　金：国家重点基础研究发展规划资助.批准号G1999064508

摘　　要：通过二次阳极氧化制备氧化铝模板，在氧化铝模板的纳米孔洞中，用电化学的方法沉积铜纳米线，经过500℃30h氧化处理，成功制备出CuO纳米线．分别用扫描电子显微镜（SEM）、透射电子显微镜（TEM）和x射线衍射仪（XRD）对样品的形貌和晶体结构进行了表征测试．SEM观察结果显示氧化铝模板的纳米孔洞分布均匀，局域有序，孔心距约为110nm．TEM观察显示纳米线粗细均匀，样品的直径分别为40nm、60nm和80nm．XRD分析显示纳米线阵列的晶体结构为CuO．CuO nanowire arrays have been prepared by oxidation of copper nanowires embeded in anodie aluminum oxide （AAO） membranes. The AAO is fabricated in oxalic acid at a constant voltage. Copper nanowires were formed in the nanopores of the AAO membranes in electrochemical deposition process. The oxidation of the copper nanowires at different temperatures was studied. X-ray diffraction （XRD） patterns confirmed the formation of CuO phase after calcining at 500℃ in air for 30 hours. Transmission electron microscopy （TEM） was used in the characterization of the nanowire morohologies.

关 键 词：纳米线 CUO 半导体 

分 类 号：TB383[一般工业技术—材料科学与工程] O614.121[理学—无机化学]