脑外伤后大脑CT低密度改变及其与预后关系  

作　　者：蒋文旭[1] 杜彦李[1] 车志豪 

机构地区：[1]苏州市第四人民医院神经外科,215001

出　　处：《苏州医学院学报》1998年第12期1286-1287,共2页Acta Academiae Medicinae Suzhou

摘　　要：分析26例重型颅脑外伤GCS＜8分者大脑半球CT低密度改变部位，以额、顶叶为著．CT低密度改变与意识障碍呈正用关，其持续时间越长，预后越差。

关 键 词：颅脑损伤 预后 CT 低密度改变 

分 类 号：R651.15[医药卫生—外科学]