一种高性能CMOS运算放大器的设计  

Design of a High Performance CMOS Amplifier

作　　者：黄君凯[1] 徐卓慧[1] 陈松涛[1] 

机构地区：[1]暨南大学信息与科学技术学院电子工程系,广州510632

出　　处：《微电子学》2010年第1期41-44,共4页Microelectronics

基　　金：广东省科技计划项目(2008B010200011);广东省教育部产学研结合项目(2009B090300287)

摘　　要：采用Chartered0.35μm工艺,设计了一种开环增益为84dB,-3dB带宽达12kHz,转换速率为400V/μs,相位裕度为60°的高性能运算放大器。其中,通过两级放大器级联的套筒式运放结构的设计,解决了高增益和大输出摆幅的需要;同时,采用带隙电流源作偏置电路,保证了运算放大器的设计精度。Based on in 0. 35μm CMOS process, a high performance amplifier was designed, which had an open loop gain of 84 dE, a -3 dE bandwidth of 12 kHz, a slew rate of 400 V/μs and a phase margin of 60°. A telescopic structure was adopted for the two-stage cascade op-amp to achieve high voltage gain and large output swing. A bandgap current source was used as bias circuit to meet the requirement of the operational amplifier.

关 键 词：CMOS 运算放大器 转换速率 

分 类 号：TN432[电子电信—微电子学与固体电子学] TN722.77