基于雪崩晶体管的脉冲半导体激光电源的设计  

Design of Semiconductor Laser Pulse Driver Based on Avalanche Transistors

作　　者：陈雷[1] 蔡喜平[1] 李伟[1] 赵凯[1] 

机构地区：[1]黑龙江大学物理科学与技术学院,黑龙江哈尔滨150080

出　　处：《光机电信息》2010年第2期32-35,共4页OME Information

基　　金：黑龙江大学2009年度学生科技创新课题;项目编号46

摘　　要：介绍了一种基于时间延迟和雪崩晶体管的纳秒级窄脉冲半导体激光器电源,该电源主要由脉冲发生电路、雪崩电路组成。实践证明,该电源可以作为一种简单的纳秒脉冲产生装置,产生脉宽<30ns、峰值为1A的电流脉冲,用于驱动普通半导体激光器。A nanosecond semiconductor laser pulse driver was designed based on avalanche transistor and time delay,mainly consisting of pulse generating circuit and avalanche circuit. The driver outputted current pulse with pulse wide〈30 ns and peak value of 1 A. It could be used to drive semiconductor lasers.

关 键 词：半导体激光器 脉冲电源 雪崩晶体管 

分 类 号：TN248.4[电子电信—物理电子学]