在SiO2结构中掺Ge制得一种新的压电单晶  

作　　者：邓志杰（摘译） 

出　　处：《现代材料动态》2010年第1期5-6,共2页Information of Advanced Materials

摘　　要：对α-石英类材料的主要兴趣是由于其良好的压电性质，除α-石英本身外，还有一族“通式”为A^ⅢB^VO4的化合物材料（此外A为Al，Ga，Fe，B；B为P和As）可用两个内相关角描述其结构畸变：内四面体跨角A-O-B，θ和四面体倾（斜）角δ。在非畸变四面体中，

关 键 词：结构畸变 压电单晶 SIO2 化合物材料 Ge α-石英 四面体 压电性质 

分 类 号：O613.71[理学—无机化学] TN65[理学—化学]