808nm垂直腔面发射激光器湿法氧化工艺的研究  

Study on the Wet Oxidation Process in 808 nm VCSEL

作　　者：侯立峰[1,2] 钟景昌[1] 孙俘[2] 赵英杰[1] 郝永芹[1] 冯源[1] 

机构地区：[1]长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,吉林长春130022 [2]装甲兵技术学院电子工程系,吉林长春130117

出　　处：《兵工学报》2010年第2期209-213,共5页Acta Armamentarii

基　　金：国家自然科学基金资助项目(60676059);教育部新世纪优秀人才支撑计划资助项目(MCET-07-0122)

摘　　要：为提高808 nm垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)的输出功率与电光转换效率,对其湿法氧化工艺进行了实验研究。采用扫描电镜(SEM)的微区分析功能,对样品氧化层按不同的氧化深度进行微区分析。微区分析结果表明:适当降低氧化温度,延长氧化时间,可减小氧化限制孔径的控制误差,提高氧化工艺的准确性;氧化后对样品进行高温加热处理,可减少氧化层中的As含量,改善氧化层的质量,提高氧化工艺的热稳定性。Wet oxidation experiments of the samples were carried out in order to improve the power and the conversion efficiency of 808 nm vertical-cavity surface-emitting laser （VCSEL）. Micro-probe analyses were done at the different oxidation depths of oxidation layer by scaning electron microscope （SEM）. The analyzed results show that the oxide-aperture can become more precise by lowering oxidation temperature and proloning oxidation time; the As content in oxidation layer decreases, the oxidation layer quality and thermal stability can be improved by heating the samples after oxidating.

关 键 词：半导体技术 垂直腔面发射激光器 湿法氧化 氧化限制孔径 

分 类 号：TN248.4[电子电信—物理电子学]