利用磷光敏化和空穴阻挡层提高白光OLED性能  

Properties Improvement of White Organic Light-emitting Devices by Using Phosphorescence Sensitizer and Hole-blocking Layer

作　　者：丁桂英[1] 姜文龙[1] 韩强[1] 张刚[1] 黄涛[1] 高永慧[1] 

机构地区：[1]吉林师范大学信息技术学院,吉林四平136000

出　　处：《半导体光电》2010年第1期38-41,共4页Semiconductor Optoelectronics

基　　金：国家青年基金项目(10804036);吉林省科技发展计划项目(20050523;20080528);吉林省教育厅科研计划项目(吉教科合字[2003]第25号;吉教科合字[2004]第54号;吉教科合字[2009]第192号)

摘　　要：利用磷光敏化和BCP的空穴阻挡作用,制备了结构为:ITO/2T-NATA(15nm)/NPBX(20nm)/rubrene(0.2nm)/NPBX(5nm)/CBP∶6%Ir(ppy)3∶15%ADN(30nm)/BCP(10nm)/Alq3(25nm)/LiF(0.5nm)/Al的有机白光器件。器件在电压为7V的情况下,最大发光效率达到5.80cd/A,在12V的电压下最大亮度达12395cd/m2,色坐标为(0.30,0.30),接近白光等能点(0.33,0.33),比非敏化器件最大发光效率3.10cd/A(7V)和最大亮度10390cd/m2(12V)及非敏化不加空穴阻挡层BCP的器件最大发光效率2.13cd/A(8V)和最大亮度8852cd/m2(12V)的性能提高很多。White organic light-emitting devices（WOLEDs）, with the structure of ITO/2T- NATA（15 nm）/NPBX（20 nm）/rubrene（0.2 nm）/NPBX（5 nm）/CBP： 6% Ir（ppy）3： 15 %ADN （30 nm）/BCP（10 nm）/Alq3 （25 nm）/LiF（0. 5 nm）/Al, are fabricated by using phosphorescence sensitizer and hole-blocking layer. The devices show the maximum luminous efficiency of 5.80 cd/A at the applied voltage of 7 V and the highest brightness of 12 395 cd/m2 at the applied voltage of 12 V, with the commission international De L＇Eclairage （CIE） coordinates of （0. 30, 0. 30） ,which is very close to the equal-energy white point （0.33, 0.33）. The maximum luminous efficiency and the highest brightness of no-sensitizered devices are 3.10 cd/A（7 V） and 10 390 cd/ m2（12 V） respectively, while the two parameters for the devices with no sensitizer or hole- blocking layer are 2.13 cd/A（7 V） and 8 852 cd/m2 （12 V） respectively. The great improvements in performance are proved bv the experimental results.

关 键 词：有机电致发光 敏化 空穴阻挡层 性能 

分 类 号：TN383[电子电信—物理电子学]