一种高精度曲率补偿带隙基准电压电路  

Curvature Compensated CMOS Bandgap Voltage Reference for High Precision Application

作　　者：方海莹[1] 吕坚[1] 于军胜[1] 蒋亚东[1] 

机构地区：[1]电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川成都610054

出　　处：《现代电子技术》2010年第6期1-3,7,共4页Modern Electronics Technique

基　　金：国家杰出青年基金资助项目(60425101);教育部新世纪优秀人才计划(NECT-04-0596)

摘　　要：设计一种采用电流模式和Buck′s电压转移单元对VBE进行高阶补偿的带隙基准电压源。电路采用CSMC0.5μm DPTM CMOS工艺制造。温度在-40～125℃之间变化时,基准电压源的温度系数为3.15 ppm/℃,在3.5～5.0 V之间的电压调整率为0.35 mV/V。A bandgap reference, which utilizes current - mode and a Buck＇s voltage transfer cell to provide a high order compensation of the VBE. This circuit achieves 3. 15 ppm/℃ of temperature coefficient with temperature ranging is -40- 125 ℃ ,and an average line regulation of 0. 35 mV/V is 3.5-5.0 V.

关 键 词：带隙基准源 高阶曲率补偿 电流模式 低温漂 

分 类 号：TN432[电子电信—微电子学与固体电子学]