圆柱面和球面真空微电子二极管内电子渡越时间的计算  

Calculations Concerning the Electron Transit Time for an Ideal Cylindrical and an Ideal Spherical Vacuum Microelectronics Diode

作　　者：陈博贤 刘光诒[2] 夏善红[2] 李宏彦 丁跃根[2] 

机构地区：[1]无锡中策电子有限公司,江苏无锡214044 [2]中国科学院电子学研究所,北京100190 [3]京东方科技集团有限公司,北京100015

出　　处：《真空电子技术》2009年第6期38-43,共6页Vacuum Electronics

摘　　要：从拉普拉斯(Laplace)方程和电子渡越时间的定义出发,推导出了圆柱面和球面真空微电子二极管内的电子渡越时间关系式。引入了等效真空微电子二极管的概念,进一步估算了真空微电子三极管内的典型电子渡越时间。On the basis of abroad relative works, the formulae of the electron transit time for an ideal cylindrical and an ideal spherical vacuum microelectronics diode are derived mathematically from the basic definition of electron transit time and the Laplace equations. Using our formulae, meanwhile introducing a concept of ideal equivalent vacuum microelectronics diode, the formulae and some typical values of the electron transit time for the vacuum microelectronics triode are further estimated.

关 键 词：圆柱面真空微电子二极管 球面真空微电子二极管 电子渡越时间 等效真空微电子二极管 真空微电子三极管 

分 类 号：O462.4[理学—电子物理学]