Si基外延Ru_2Si_3电子结构及光学性质研究  

First-principles study on the band structure and optical properties of strained Ru_2Si_3 semiconductor

作　　者：崔冬萌[1] 谢泉[1] 陈茜[1] 赵凤娟[1] 李旭珍[1] 

机构地区：[1]贵州大学理学院贵州大学新型光电子材料与技术研究所,贵阳550025

出　　处：《物理学报》2010年第3期2027-2032,共6页Acta Physica Sinica

基　　金：国家自然科学基金(批准号:60566001;60766002);科技部国际合作专项项目(批准号:2008DFA52210);贵州省信息产业厅项目(批准号:0831);贵州大学研究生创新基金(批准号:2009010)资助的课题~~

摘　　要：采用基于第一性原理的赝势平面波方法,对异质外延关系为Ru2Si3(100)//Si(001),取向关系为Ru2Si3[010]//Si[110]正交相的Ru2Si3平衡体系下的能带结构、态密度和光学性质等进行了理论计算.计算结果表明:当晶格常数a取值为1·093nm时,正交相Ru2Si3处于稳定状态并且是具有带隙值为0·773eV的直接带隙半导体;其价带主要是由Ru的4d态电子构成;导带主要是由Ru的4d态电子及Si的3p态电子构成;静态介电常数ε10为18·91;折射率n0为4·349·We calculated the band structure , density of states and optical properties of semiconductor material Ru_2Si_ 3 epitaxial-grown on Ru_2Si_3 （100）//Si（001） with Ru_2Si_3 [010]//Si[110] by using the pseudo-potential plane wave method based on first principles methods. As shown by the calculated results, orthorhombic Ru_2Si_3 is not only a directs emiconductor with the band gap of 0.773 eV, but also in stable condition when the lattice parameter a is 1.093 nm.The valence bands of Ru_2Si_3 are mainly composed of Ru 4d and the conduction bands are mainly composed of Ru 3d and Si 3p. Its static dielectric function ε_10 is 18.91, the refractive index n_0 is 4.349.

关 键 词：外延 第一性原理 电子结构 光学性质 

分 类 号：O481[理学—固体物理]