a-Si/μc-Si叠层电池中间层材料SiOx：H制备研究  

Fabrication and research of SiO_x:H thin film as an interlayer in amorphous/microcrystalline silicon solar cells

作　　者：岳强[1] 张晓丹[1] 张鹤[1] 郑新霞[1] 魏长春[1] 孙建[1] 张建军[1] 耿新华[1] 熊绍珍[1] 赵颖[1] 

机构地区：[1]南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,光电信息技术科学教育部重点实验室,天津300071

出　　处：《光电子．激光》2010年第2期231-234,共4页Journal of Optoelectronics·Laser

基　　金：国家高技术研究发展规划资助项目(2007AA05Z436,2009AA050602);国家重点基础研究发展规划资助项目(2006CB202602,2006CB202603);国家自然科学基金资助项目(60506003);科技部国际合作重点资助项目(2006DFA62390);天津科技支撑资助项目(08ZCKFGX03500);教育部新世纪人才计划资助项目;南开大学博士启动基金资助项目(J02031)

摘　　要：为提高a-Si/μc-Si叠层太阳电池的效率,采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,制备了系列n型掺磷硅氧(SiOx:H)薄膜作为中间层,研究了CO2/Si H4气体流量比、沉积功率和PH3掺杂浓度等工艺参数对材料光电特性的影响,获得了折射率、电导率和禁带宽度能够在较大范围内调控的SiOx:H薄膜。To improve the stable efficiency of a micromorph silicon tandem solar cell,series of phosphorous doped silicon oxide films were fabricated by radio frequency plasma enhanced chemical vapor deposition（RF-PECVD）.By varying the influences of process parameters,such as the CO2/SiH4 gas flow ratio,deposition power and phosphorus doping ratio,on the material optical and electrical properties are discussed.The silicon oxide films whose properties can be controlled in a wide range are obtained.

关 键 词：a-Si/μc-Si叠层太阳电池 中间反射层 SiOx:H薄膜 

分 类 号：O484[理学—固体物理]