硅纳米晶体与尺寸相关的介电函数谱  被引量:1

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作  者:张荣君[1] 陈一鸣[1] 陆卫杰[1] 蔡清元[1] 郑玉祥[1] 陈良尧[1] 

机构地区:[1]复旦大学信息科学与工程学院,上海200433

出  处:《激光与光电子学进展》2010年第3期12-12,共1页Laser & Optoelectronics Progress

基  金:国家自然科学基金重点项目(60638010);教育部留学回国人员科研启动基金

摘  要:嵌埋于SiO2中的硅纳米晶体具有结构稳定、发光性质可。控和制备简便等特点,受到广泛关注和研究。在设计与研制基于硅纳米晶体的应用器件时,需掌握不同尺寸硅纳米晶体的复介电函数或复折射率,因为这些参数决定了硅纳米晶体的光学性质,同时介电函数与晶体的能带结构相关联,直接反映晶体对外场的响应。对介电函数的研究也有助于了解量子限制尺寸下半导体的性质,在基础物理研究的角度上也有重要的意义。

关 键 词:硅纳米晶体 介电函数 尺寸 数谱 发光性质 结构稳定 SIO2 复折射率 

分 类 号:TN304.12[电子电信—物理电子学]

 

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