NiSi薄膜的拉曼研究  

Raman spectroscopy study of NiSi thin film

作　　者：万里[1] 张学飞[1] 唐波[1] 

机构地区：[1]浙江温州大学物理与电子信息学院,温州325035

出　　处：《中国科学：物理学、力学、天文学》2010年第3期275-279,共5页Scientia Sinica Physica,Mechanica & Astronomica

摘　　要：在Si(100)衬底上通过电子束蒸发法外延生长晶体取向单一的NiSi薄膜材料.利用极化拉曼实验分析技术并结合群论以及晶格振动理论对NiSi薄膜拉曼峰的对称性进行指认.在此基础上计算了各类声子峰对应的晶格振动模式.我们还讨论了两种不同的激光退火方法对晶体质量的影响.NiSi thin film with only one crystal orientation has been grown on Si（100）substrate by using Electron Beam Evaporation method. Polarized Raman analysis and the group theory are used to assign the Raman peaks of the NiSi thin film. Lattice vibration modes corresponding to the phonons have also been calculated. Furthermore, the influence of laser-annealing treatment on the improvement of crystal quality has been discussed.

关 键 词：NiSi薄膜 拉曼 声子 晶格振动 退火 

分 类 号：O484.4[理学—固体物理]