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机构地区:[1]中国科学院电子学研究所中国科学院高功率微波源与技术重点实验室,北京100190
出 处:《红外与毫米波学报》2010年第2期105-108,131,共5页Journal of Infrared and Millimeter Waves
基 金:国家自然科学基金项目(60701011;60971073)资助
摘 要:扩展相互作用速调管(EIK)由多个重入式多间隙耦合腔构成,毫米波段高功率微波源的需求推动了Ka波段EIK的研制.分别利用等效电路理论和场分析方法推导了由三个同样间隙构成的三间隙耦合输出腔间隙阻抗实部的计算公式,然后应用等效电路方法获得了滤波器加载宽频带输出回路的基本参数,应用场分析方法设计了冷测带宽达4.6%的滤波器加载三间隙耦合输出腔结构,为宽频带EIK的研制打下坚实的基础.The extended interaction klystron(EIK) consists of several reentrant multi-gap coupled cavities.The demand for high-power microwave sources in the millimeter-wave region promotes the development of a Ka-band extended interaction klystron(EIK).In this study,the real part of the impedance of the three-gap coupled output cavities composed by three uniform gap cavities was derived by using the equivalent circuit theory and field analysis method,respectively.The basic parameters of the broad band output circuit were obtained by using equivalent circuit theory.Filter loaded three-gap coupled output cavities with band width of 4.6% were designed by using field analysis method.It lays a solid foundation for the development of the broad band EIK.
分 类 号:TN122.7[电子电信—物理电子学]
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