新型SINP硅蓝紫光电池的研究  

作　　者：何波[1] 马忠权[1] 徐静[2] 赵磊[1] 张楠生[1] 李凤[1] 沈玲[1] 沈成[1] 周呈悦[1] 于征汕 殷宴庭 

机构地区：[1]上海大学理学院物理系,上海200444 [2]武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室,武汉430070 [3]上海索朗太阳能科技有限公司,上海201206

出　　处：《中国科学：技术科学》2010年第4期407-416,共10页Scientia Sinica(Technologica)

基　　金：国家自然科学基金项目(批准号:60876045);上海市重点学科建设项目(批准号:S30105);上海市教委创新基金项目(批准号:08YZ12);SHU-SOEN's PV联合实验室基金项目(批准号:SS-E0700601)资助

摘　　要：本研究中,采用以下主要步骤:先在p-型Si的绒面上,进行磷扩散形成同质p-n结,再低温热氧化生长超薄SiO2层,然后利用射频磁控溅射沉积ITO减反射/收集电极膜,成功制备了一种新型ITO/SiO2/np晶硅SINP结构蓝紫光电池.通过X-光衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、紫外-可见光透射谱(UV-VIS),以及霍尔效应(Halleffect)测量方法,表征了高质量ITO薄膜的微结构、光学与电学特性.并重点对SINP结构光电池的光谱响应和I-V特性,进行了详细地计算和分析.结果表明,具有蓝紫光以及其它可见光波段的光谱响应和光电转换的增强效果,是该器件的主要特征.其较高的短路电流密度,适合于发展成为新型结构的硅基太阳能电池.

关 键 词：ITO薄膜 SINP光电池 I-V特性 光谱响应 

分 类 号：TM914[电气工程—电力电子与电力传动]