SiC薄膜材料理论模拟研究的动态  

THE DEVELOPMENT OF SIC FILMS IN SIMULATION

作　　者：盖志刚[1] 罗崇泰[1] 陈焘[1] 张平[1] 

机构地区：[1]兰州物理研究所表面工程技术国家级重点实验室,甘肃兰州730000

出　　处：《真空与低温》2010年第1期1-5,共5页Vacuum and Cryogenics

基　　金：表面工程技术国家级重点实验室基金项目(9140C540107090C54)资助

摘　　要：SiC因其宽的禁带宽度、高的电子饱和速度、大的临界击穿场强、高的热导率和热稳定性等特性而成为制作高频、大功率和耐高温器件的理想材料。综述了SiC材料的理论研究现状和发展趋势,并对研究方法和结果进行了简要的评述。Silicon carbide （SIC） is a pmmising material for high power, high frequency, high temperature applications because of its excellent properties such as wide band gap, high saturated electron velocity, high electrical breakdown field, high thermal conductivity, thermal stability and so on. Theoretical research status and developing trends on SiC material are summarized in this paper. Also the methods and results are reviewed.

关 键 词：SIC材料 理论模拟 研究现状 发展趋势 

分 类 号：O484[理学—固体物理]