SrO/Si(100)表面去氧过程的研究  

Investigation on the deoxidation process of SrO/Si(100) surface

作　　者：杜文汉[1] 

机构地区：[1]中国科学技术大学微尺度物质科学国家实验室,合肥230026

出　　处：《物理学报》2010年第5期3357-3361,共5页Acta Physica Sinica

基　　金：国家自然科学基金(批准号:50721091;10825415;60771006和50532040)资助的课题~~

摘　　要：借助高温扫描隧道显微镜和光电子能谱技术,深入研究了SrO/Si(100)表面向Sr/Si(100)再构表面的动态转化过程.Sr/Si(100)再构表面在硅基氧化物外延生长中起重要作用.在该动态转化过程中,样品在500℃的退火温度下,表面出现SrO晶化的现象;在550—590℃的退火温度下,SrO/Si(100)开始向Sr/Si(100)转化,界面和表面上的氧以气态的SiO溢出,使得表面出现大量凹槽状缺陷.并且在此动态转化过程中表面的电子态表现出金属特性,这是由于表层硅原子发生断键重排,从而在表面出现悬挂键产生的.Using high temperature scanning tunneling microscopy （STM） and XPS,we investigated the dynamic process of SrO/Si（100） changing to Sr/Si（100） reconstructed surface,which plays a critical role in the growth of crystalline oxide on silicon substrate. During this process we find some interesting phenomenan：there appears crystalline SrO on Si（100） substrate at low annealing temperature of 500 ℃ ; at higher annealing temperature of 550—590 ℃ ,the oxygen in the SrO/Si（100） interface will react with silicon and form volatile SiO,leading the surface with a large quantity of line vacancies. In the later case,there appears abnormal metallic property of this surface,which results from dangling bonds of silicon atoms in the surface.

关 键 词：SrO/Si表面 Sr/Si表面 扫描隧道显微镜 去氧过程 

分 类 号：TN305.2[电子电信—物理电子学]