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作 者:龚晓钟[1] 田鹏[2] 周智[1] 钟启鸣[1] 汤皎宁[2]
机构地区:[1]深圳大学化学与化工学院深圳市功能高分子重点实验室,深圳518060 [2]深圳大学材料学院深圳市特种功能材料重点实验室,深圳518060
出 处:《深圳大学学报(理工版)》2010年第2期217-223,共7页Journal of Shenzhen University(Science and Engineering)
基 金:国家自然科学基金资助项目(50471108);广东省科技计划资助项目(2006B14001001)
摘 要:在低温熔融盐体系中,采用电沉积方法室温条件下制备Sm和Pr填充方钴矿化合物.研究不同稀土填充的方钴矿CoSb3热电材料的最佳制备工艺条件.通过扫描电子显微镜观察CoSb3Smx和CoSb3Prx的表面形貌,用特征X射线谱能确定其化学成分,用X射线衍射分析其晶型结构.优化工艺条件使稀土元素达到最大填充量.研究结果表明,合金薄膜的组成为Sm0.32CoSb3和Pr0.30CoSb3.三元合金薄膜由体心立方结构的CoSb3和六方晶形的稀土单质Sm组成.Sm, Pr-filled Skutterudite was prepared by electrodeposition in ionic liquid at the room temperature. The optimum processing conditions for preparing Skutterudite filled with a variety of rare-earth elements, were investigated. Methods of equipment analysis, such as scanning electron microscopy, energy dispersive spectrometer, and X-ray diffraction, were employed to characterize the morphologies, the compositions, and the crystal structure of the above Skutterudites. Under the optimized reaction conditions, the amount of rare-earth element reached maximum with the composition of the alloy thin film as Sm0.32CoSb3 or Pr0.30CoSb3. Three-phase alloy thin film was composed of body-centered cubic CoSb3 and the hexagonal element Sm.
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