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作 者:王关全[1] 杨玉青[1] 张华明[1] 胡睿[1] 魏洪源[1] 熊晓玲[1] 罗顺忠[1]
机构地区:[1]中国工程物理研究院核物理与化学研究所,四川绵阳621900
出 处:《原子能科学技术》2010年第4期494-498,共5页Atomic Energy Science and Technology
基 金:中国工程物理研究院科学技术发展基金资助项目(2007A02001)
摘 要:以单晶硅基结型器件为基础,探讨其结构与辐射作用下电输出性能的关系,为辐射伏特效应同位素电池换能单元(PN结)设计提供依据。设计制作了两种可作为同位素电池换能单元用的单晶硅半导体PN结型器件,使用63Ni源辐照这些器件并测量其电输出性能。结果表明,新设计的器件具有比原器件更大的开路电压、输出功率和能量转换效率。Based on the single crystal silicon semiconductor junction devices, the relationships between their configurable parameters and the electrical properties were discussed for the purpose of design of energy conversion units of betavoltaic isotopic batteries. Two kinds of silicon semiconductor junction devices as energy conversion units of betavoltaic batteries were designed and customized. The electrical output properties of the devices irradiated by 63 Ni source were measured. The results show that the new designed devices perform better than the existing commercial one in open-circuit voltage, output power and energy conversion efficiency.
关 键 词:辐射伏特效应同位素电池 换能单元 电学性能
分 类 号:TM910.2[电气工程—电力电子与电力传动]
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