三星电子正式开始量产第一款高效能20nm级NAND Flash内存  

出　　处：《电子与电脑》2010年第5期91-91,共1页Compotech

摘　　要：三星电子宣布正式领先量产业界第一款20nm级NAND芯片,可用在SD记忆卡与嵌入式内存解决方案,基于这先进的技术而发表的32Gb MLC NAND,更进一步扩展三星的记忆卡解决方案，可提供智能型手机、高阶IT应用与高效能记’I＇L卡更多开发选择。

关 键 词：NAND 三星电子 Flash M级 内存 SD记忆卡 智能型手机 嵌入式 

分 类 号：TP333[自动化与计算机技术—计算机系统结构]