基于分子结的分子电子器件电性能研究  

Study of Electrical Properties of Molecular Electronic Devices Based on MMM Junction

作　　者：左国防[1] 雷新有[1] 张建斌[1] 

机构地区：[1]天水师范学院生命科学与化学学院,甘肃天水741000

出　　处：《现代电子技术》2010年第10期168-171,共4页Modern Electronics Technique

基　　金：国家自然科学基金资助项目(20875077);甘肃省自然科学基金项目(3ZS061-A25-028);甘肃省教育厅2008年科研项目资助(0808-02)

摘　　要：介绍了分子电子学的发展背景,并通过电极、分子以及电极-分子接触界面的分子结技术,对电极-分子-电极结中的电子传递现象进行了解释。另外,结合STM和裂分结技术,探讨了分子结中分子电子的测试方法,并对基于分子结中的分子电子器件的库仑阻塞、Kondo效应以及动力学随机记忆等进行了讨论。The background of molecular electronics is introduced.The phenomenon of electron transfer in electrod-motecular-electrod junction is explained by the aid of the molecular junction technology.The methods of measuring the molecular electron in typical metal-molecule-metal（MMM） junction is discussed by junction technology of STM and break junction.In addition,Kondo effect,coulomb blockade and dynamics random access memory of molecular electron devices in molecular junction are discussed too.

关 键 词：分子结 分子电子学 分子导体 库化阻塞 

分 类 号：TN103[电子电信—物理电子学]