Mg_2SiO_4:Cr^(3+)晶体生长  

Crystal Growth of Mg_2SiO_4:Cr^(3+)

作　　者：朱洪滨[1] 潘佩聪[1] 颜声辉[1] 侯印春[1] 夏海平[1] 邓佩珍[1] 李海华[2] 秦永忠[2] 

机构地区：[1]中国科学院上海光学精密机械研究所 [2]长春光学精密机械学院

出　　处：《人工晶体学报》1990年第2期104-108,共5页Journal of Synthetic Crystals

基　　金：国家自然科学基金

摘　　要：本文报导了用提拉法生长Mg_2SiO_4:Cr^(3+)晶体的实验过程和结果,试验证实了所得样品为Mg_2SiO_4:Cr^(3+)单晶体,指出了生长高质量的Mg_2SiO_4:Cr^(3+)单晶的有效途径。In this paper procedures and results for the crystal growthof Mg_2SiO_4: Cr^(3+) by Czochralski method are reported. The samples obtainedhave been confirmed to be Mg_2SiO_4: Cr^(3+) crystals by several means of testingand examination. An effective way of growing high quality single crystals ofMg_2SiO_4: Cr^(3+) is put forward.

关 键 词：硅酸镁 晶体 晶体生长 铬 提拉法 

分 类 号：O614.22[理学—无机化学]