闪烁晶体CdWO_4的生长  被引量:12

Growth of CdWO_4 Crystal

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作  者:徐军[1] 马笑山[1] 顾及 沈雅芳[1] 张新民[1] 魏光普[2] 

机构地区:[1]中国科学院上海光学精密机械研究所 [2]上海科学技术大学材料系

出  处:《人工晶体学报》1990年第4期283-287,共5页Journal of Synthetic Crystals

摘  要:本文采用高频感应加热引上法成功生长出CdWO_4大单晶。讨论了晶体的解理、着色、核心、夹杂物和热腐蚀机理;提出了选择配料、温场等解决途径,并测量了晶体的发光特性。Large sized CdWO_4 crystals were successfully grown by theCZ method with high frequency inductive heating. Some problems such ascleavage, colouration, cores and thermal elching were encountered, andthey were solved by adopting suitable methods of preparing raw materials andchoosing favorable temperature profiles. The luminescence characteristicswere determined.

关 键 词:钨酸镉 晶体 闪烁晶体 提拉法 光谱 

分 类 号:O614.242[理学—无机化学]

 

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