V掺杂ZnO基稀磁半导体的结构及磁性研究  被引量:2

Study of Structure and Magnetic Properties of V-doped ZnO based Diluted Magnetic Semiconductors

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作  者:冯博[1] 刘洋[1,2] 杨景海[1] 

机构地区:[1]吉林师范大学凝聚态物理与材料科学研究所,吉林四平136000 [2]江苏大学材料科学与工程学院,江苏镇江202013

出  处:《吉林师范大学学报(自然科学版)》2010年第2期33-35,共3页Journal of Jilin Normal University:Natural Science Edition

基  金:国家自然科学基金项目(60778040);吉林省教育厅"十一五"科学技术研究项目(2009426)

摘  要:利用溶胶-凝胶法制备前驱体,并在空气气氛中进行热处理,合成了具有六方纤锌矿结构的纯相ZnO及V掺杂ZnO纳米颗粒.分别用X射线衍射仪(XRD)、透射电镜(TEM)、振动样品磁强计(VSM)等测试手段对样品的结构、形貌和磁学性质进行表征测试.结果表明,V掺杂使晶格常数明显变小,同时抑制了晶粒的生长,没有发现第二相的存在.经过分析,认为V掺杂ZnO基稀磁半导体的铁磁性是其本质特性.The undoped ZnO and the V-doped ZnO nanoparticles with hexagonal wurtzite structure were synthesized using heat-treating technique with the precursors prepared by sol-gel method in air atmosphere.The structure,morphology and magnetic properties of the samples were studied by x-ray diffraction(XRD),transmission electron microscopy(TEM) and vibrating sample magnetometer(VSM),respectively.V doping led to the lattice contraction of ZnO,and restrained the growth of the ZnO grains.The second-phase was not existed.Combing with the analysis of the literature,we believed the ferromagnetism in V-doped ZnO is intrinsic.

关 键 词:稀磁半导体 ZnO V掺杂 铁磁性 

分 类 号:O472.5[理学—半导体物理]

 

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