中子辐射对P型HPGe探测器的影响  

Effects of Neutron Damage on the P-HPGe Detector

作　　者：张子良[1] 张建勇[2] 姜小盼[3,4] 秦秀波[3] 王宝义[3] 侯新生[1] 

机构地区：[1]成都理工大学核技术与自动化工程学院,成都610059 [2]中国科学院高能物理研究所,北京100049 [3]中国科学院高能物理研究所核分析技术重点实验室,北京100049 [4]中国科学院研究生院,北京100049

出　　处：《核电子学与探测技术》2010年第4期577-580,共4页Nuclear Electronics & Detection Technology

基　　金：国家自然科学基金资助(10835006和10705031)

摘　　要：采用钚碳源(PuC)来刻度HPGe探测器,通过实验结果分析,探讨了快中子对HPGe探测器的损伤的影响以及石蜡材料对屏蔽中子的效应;研究了中子能量注量对P型高纯锗探测器HPGe的能量分辨率的影响,以及其能量分辨率随屏蔽材料厚度的变化关系。HPGe detector is scaled by PuC source. The damage effect of the fast neutron on the HPGe detector and the shielding effect of Paraffin to the neutron are discussed through the analysis of experimental results, specially, it is concentrated on the effect of neutron fluence damage on energy resolution of the ptype-detector and the relation of the energy resolution to the thickness of shielding material.

关 键 词：中子损伤 P型HPGe 中子注量 能量分辨率 

分 类 号：TL816[核科学技术—核技术及应用] TL76