半导体硅上激光诱导化学沉积镍薄膜  被引量:2

Laser Induced Electroless Deposition of Nickel on Semiconductor Silicon

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作  者:刘冰[1,2,3] 龚正烈[1,2,3] 姚素薇[1,2,3] 郭鹤桐 袁华堂 张允什[1,2,3] 

机构地区:[1]南开大学新能源材料化学研究所 [2]郑州煤炭管理干部学院 [3]天津大学化工学院

出  处:《应用化学》1999年第1期80-82,共3页Chinese Journal of Applied Chemistry

基  金:国家自然科学基金

摘  要:由于激光具有高能量密度、高单色性以及良好的相干性,在表面处理技术中的应用越来越广泛.在金属、半导体和高聚物基体上,从水溶液进行激光诱导的化学沉积引起了人们的极大注意,这种工艺在微电子电路及器件上有广泛的应用前景.与传统的化学镀相比,它具有明显的优越性...Laser induced electroless deposition of nickel on the semiconductor silicon after Pd impregnation has been carried out by using YAG laser and investigated by XPS combined with Ar + sputtering technique. The results indicated the existence of interdiffusion between Ni, Pd and Si at room temperature and formation of different silicide compounds.

关 键 词:激光诱导 化学沉积 半导体硅 镍薄膜 

分 类 号:TN305.2[电子电信—物理电子学]

 

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