利用AFM电场诱导GaAs表面的局域氧化制备纳米结构  

Localized oxidation of GaAs using conductive atomic force microscope

作　　者：陈海峰[1] 李春增[1] 何会新[1] 刘忠范[1] 

机构地区：[1]北京大学化学与分子工程学院

出　　处：《电子显微学报》1999年第1期58-60,共3页Journal of Chinese Electron Microscopy Society

基　　金：国家攀登计划B;国家自然科学基金

摘　　要：基于ＡＦＭ电场诱导的方法成功地在硅掺杂ｎ＋型ＧａＡｓ（１００）和锌掺杂ｐ型ＧａＡｓ（１００）表面局域氧化制备了纳米尺度的点、线、图形，最小的纳米结构约１５ｎｍ，并定性地考察了ＧａＡｓ表面ＡＦＭ电场诱导制备纳米结构的一些规律。Nanometer sized dots, lines and pattern have been successfully created onto Si doped n + GaAs(100) and Zn doped p GaAs(100) based on electric field induced local oxidation. The smallest dot is ca.15nm.The rules of nanooxidation on GaAs are also investigated.

关 键 词：AFM 纳米结构 局域氧化 砷化镓 

分 类 号：TN304.23[电子电信—物理电子学]