LD紧耦合泵浦被动调Q微型激光器实验研究  被引量:5

A tightly coupled diode pumped microlaser with passive Q switch

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作  者:刘磊[1] 张大勇[1] 赵鸿[1] 何利杰[1] 

机构地区:[1]华北光电技术研究所,北京100015

出  处:《激光与红外》2010年第6期609-612,共4页Laser & Infrared

基  金:固体激光技术国家级重点实验室基金项目(No.9140C0401060801)资助

摘  要:设计一种用二极管直接端面泵浦的亚纳秒、千赫兹、千瓦级峰值功率的被动调Q激光器。首先根据激光振荡方程计算出激光器参数,由此设计了1.5 mm厚单块Nd∶YAG与Cr4+∶YAG键合晶体作为工作物质,然后用内蚀光栅LD作为泵浦源,在光学体积小于1 cm3条件下,获得重复频率8 kHz、峰值功率8.3 kW、脉冲宽度876 ps,M2=2的单纵模激光输出。Presented herein is a compact diode pumped microlaser with a passive Q switch. The passively Q switched microlaser's parameters were designed on the basis of laser oscillation equation. The laser is pumped by a monolithic laser diode with internal grating and the gain media is a piece of Nd:YAG and Cr4+ :YAG bonded crystal. The laser has a peak power of 8.3 kW, a repetition of 8 kHz, a M sqare factor of 2 and a width of 876 ps, which also operates under single longitudinal mode.

关 键 词:紧耦合泵浦 被动调Q 窄脉宽 内蚀光栅LD 

分 类 号:TN248.34[电子电信—物理电子学]

 

参考文献:

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引证文献:

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