GaAs/AlGaAs多量子阱空间光调制器入射角度特性研究  

Incident angle dependence of GaAs/AlGaAs multiple quantum well spatial light modulators

作　　者：黄寓洋[1,2] 刘惠春[2,3] Wasilewski Z R Buchanan M Laframboise S R 杨晨[1,2] 崔国新[2] 边历峰[2] 杨辉[1,2] 张耀辉[2] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所,北京100083 [2]中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,江苏苏州215125 [3]加拿大国家研究理事会微结构研究所

出　　处：《光电子．激光》2010年第5期668-671,共4页Journal of Optoelectronics·Laser

基　　金：科技部中美国际科技合作计划基金资助项目(2008KR0415);苏州市中美国际合作基金资助项目(SWH0809)

摘　　要：研究了GaAs/AlGaAs多量子阱(MQW)空间光调制器(SLM)在不同入射角度下的调制特性。对腔模位置与入射角度的关系进行了理论计算和实验验证,两者具有较好的一致性。当入射角在0°～75°之间变化时,腔模从871nm变化至845nm,可调节范围达26nm。当入射光从垂直入射变化为约45°入射时,SLM对比度从(CR)3.8提高到16.3,调制电压从9.5V下降至6.5V。理论分析和实验结果表明,入射角度调节能够有效提高GaAs/AlGaAs MQW SLM调制性能。The modulation performance of GaAs-AlGaAs multiple quantum well（MQW） spatial light modulators（SLMs） with varying incident angle is analyzed.When the incident angle varies from 0° to 75°.The cavity mode can be changed from 871 nm to 845 nm.The tunable range is 26 nm.Under the 45° incident angle condition,the contrast ratio （CR）increases from 3.8 to 16.3,and the bias voltage decreases from 9.5 V to 6.5 V.Both theoretical and experimental results demonstrate that modifying incident angle is an effective tuning method to improve the performance of MQW SLMs.

关 键 词：空间光调制器(SLM) 多量子阱(MQW) 入射角度 对比度(CR) 

分 类 号：TN256[电子电信—物理电子学] TN305