一种基于聚合物绝缘层的TIPS-pentacene晶体管性质研究  

Property of TIPS-pentacene transistor based on polymer dielectric

作　　者：周建林[1] 黄智勇[1] 张福甲[2] 刘一阳[3] 郭瑜[1] 王靖[1] 

机构地区：[1]重庆大学通信工程学院电子工程系,重庆400044 [2]兰州大学物理科学与技术学院,甘肃兰州730000 [3]兰州大学化学化工学院,甘肃兰州730000

出　　处：《光电子．激光》2010年第7期988-991,共4页Journal of Optoelectronics·Laser

基　　金：中央高校基本科研业务费资助项目(CDJZR10160010)

摘　　要：采用顶接触结构研究制备了以TIPS-pentacene为有源层、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)为绝缘层的有机场效应晶体管(OFET),其中绝缘层采用溶液旋涂法制备,电极采用Au电极。通过原子力显微镜(AFM)和X射线衍射(XRD)技术对TIPS-pentacene在PMMA上的生长特性进行了详细分析,结果表明,器件获得了良好的电学特性,其场效应迁移率、阈值电压以及开关电流比分别为0.137 cm2/Vs、-19 V和9.74×104。对器件的稳定性也做了详细研究。A kind of organic field-effect transistor（OFET） is fabricated with poly-（methylmethacrylate）（PMMA） as the gate insulator and 6,13-bis（triisopropyl-silylethynyl） pentacene（TIPS-pentacene） as the active layer.The PMMA dielectric is fabricated by solution-casting method.Moreover,the gold（Au） is employed as the source and drain electrodes.The characteristics of TIPS-pentacene thin film upon polymer insulator are carefully studied by Atomic force microscopy （AFM） and X-ray diffraction（XRD） techniques.The device shows a good electronic performance with the field-effect mobility of 0.137 cm2/Vs,threshold voltage of-19 V and on/off ratio of 9.74×104.Furthermore,the stability of OFET is also investigated.

关 键 词：TIPS-pentacene 聚甲基丙烯酸甲脂(PMMA) 有机晶体管 薄膜 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学]