低温ITO薄膜制备及光电特性的研究  被引量:2

Preparation and photoelectric properties of the Low Temperature ITO Thin Films

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作  者:林钰[1] 李慧灵[1] 王宇婷[1] 辛荣生[2] 贾晓林[2] 

机构地区:[1]河南教育学院化学系,河南郑州450046 [2]郑州大学材料工程学院,河南郑州450052

出  处:《河南教育学院学报(自然科学版)》2010年第2期16-17,共2页Journal of Henan Institute of Education(Natural Science Edition)

基  金:河南省科技攻关项目(092102210010)

摘  要:采用直流磁控溅射ITO陶瓷靶的低温工艺,在柔性基片上镀制ITO薄膜,研究了氧氩体积流量比、溅射气压、溅射速率等工艺条件对ITO薄膜光电性能的影响,并得到了可见光透过率大于80%,电阻率小于3.0×10-4Ω.cm的ITO薄膜.ITO thin films were deposited on flexible substrates by DC magnetron sputtering ITO target technique under,low temperature.The influence of technological conditions(such as the oxygen flux,the sputtering pressure,the sputtering speed,etc.) on photoelectric properties of the ITO films were studied,and the ITO thin films with visible light transmissivity beyond 80% and resistivity below 3.0×10-4 Ω·cm were obtained.

关 键 词:低温 ITO薄膜 电阻率 透光率 

分 类 号:O484.4[理学—固体物理]

 

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