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作 者:贾博雍[1] 俞重远[1] 刘玉敏[1] 韩利红[1] 赵伟[1]
机构地区:[1]光通信与光电子学教育部重点实验室(北京邮电大学),北京100876
出 处:《北京邮电大学学报》2010年第3期84-87,共4页Journal of Beijing University of Posts and Telecommunications
基 金:国家高技术研究发展计划项目(2009AA03Z405);北京邮电大学青年科研创新计划专项项目(BUPT2009RC0411)
摘 要:为分析量子环纳米材料的电子结构特性,在有效质量包络函数理论框架内,通过求解单带薛定谔方程,计算了在无磁场和有磁场时,InAs/GaAs二维量子环中电子的基态能级,分析了能级随量子环内半径、外半径、平均半径和宽度的变化.计算及分析结果表明,垂直于量子环平面的磁场对提高电子基态能量有明显效果;此外,磁场还会减小能级对量子环外半径的依赖关系,即当外半径超过某一临界值时,能级不再发生变化.In the framework of effective mass envelope function,by solving the single-band Schrdinger equation,the ground state energy level of two-dimensional InAs/GaAs quantum ring is calculated both in the absence and the presence of the magnetic field to analyze the electronic structure of quantum ring nano-materials.The relationships between the energy level and the inner radius,outer radius,average radius and width of the ring are analyzed.It is indicated that the magnetic field perpendicular to the plane of the quantum ring will evidently increase the ground state energy.Moreover,the magnetic field makes the dependence of the energy level on outer radius of the ring weaker,i.e.the level will keep in changeless if the outer radius exceeds a critical value.
分 类 号:TN304.02[电子电信—物理电子学]
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