光激电流谱的测试  

作　　者：邵丽梅[1,2] 杨威[1,2] 

机构地区：[1]吉林工业大学物理系 [2]装甲兵技术学校

出　　处：《光学技术》1999年第2期66-67,49,共3页Optical Technique

摘　　要：用光激瞬态电流谱ＯＴＣＳ（ｏｐｉｔａｌｔｒａｎｓｉｔｉｏｎｃｕｎｅｎｔｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）方法对ＩｎＰ∶Ｆｅ进行了初步测试。目的是研究半绝缘ＩｎＰ∶Ｆｅ中的深能级，了解其作为光电器件、高速器件衬底的稳定性。在低温下，用强光发现半绝缘ＩｎＰ∶Ｆｅ中存在两深能级，分别是ＥＴ＝０．３４ｅＶ的电子陷阱和ＥＴ＝１．１３ｅＶ的空穴陷阱。

关 键 词：半导体材料 光激瞬态电流谱 特性测量 

分 类 号：TN304.07[电子电信—物理电子学]