浮空场板的二维数值分析  

Two Dimensional Numerical Simulation of Float Field Plates

作　　者：张旻[1] 李肇基[1] 

机构地区：[1]电子科技大学微电子研究所

出　　处：《Journal of Semiconductors》1999年第4期298-302,共5页半导体学报（英文版）

摘　　要：本文提出了模拟二氧化硅表面的浮空场板二维电场分布的一种新方法，它基于异质结器件的模拟方法，将二氧化硅用电导率为零、介电常数为３．９的材料来模拟．借助此方法对一新结构的浮空场板进行了二维数值计算，并获得实验的初步支持．Abstract A new method of the float field plates simulation i s presented, based on simulation of the heterojunction device. It uses a materia l of zero conductivity and the permittivity of 3 9 instead of the material SiO 2. The two dimensional numerical simulation of a novel float field plates is p erformed by this way, and the results is preliminary supported by experimental r esults.

关 键 词：二维数值分析 浮空场所 SPIC 智能功率IC 

分 类 号：TN450.3[电子电信—微电子学与固体电子学]