层状钴氧化物系统的重整化群流  

Renormalization Group Flow of Layered Co-based Oxides System

作　　者：梁万秋[1] 郭振平[1] 

机构地区：[1]延边大学理学院物理系,吉林延吉133002

出　　处：《延边大学学报（自然科学版）》2010年第2期130-135,共6页Journal of Yanbian University（Natural Science Edition）

基　　金：国家自然科学基金资助项目(10864008);延边大学科研项目(延科合字2009第58号)

摘　　要：采用平均场近似方法得到层状钴氧化物系统的不对称Hubbard哈密顿量,建立了对应于该哈密顿量的重整化群流方程,求得相应的系统能带结构、粒子数期望值和临界温度.结果表明,系统发生绝缘体—金属转变的临界温度Tc随能带宽度W的降低而增大.We adopted the way of mean field approximation to get the asymmetric Hubbard Hamiltonian and set up the equation of renormalization group flow for the layered Co-based oxides.The energy distribution and expectation values of particle number as well as critical temperature were calculated.The result indicated that critical temperature of insulator-metallic transition increases along with the width of energy band reducing.

关 键 词：层状钴氧化物 能带结构 粒子数 绝缘体—金属转变 重整化群流方程 

分 类 号：TB34[一般工业技术—材料科学与工程] O513[理学—低温物理]