Nb掺杂BaTiO%_3-Bi_(0.5)K_(0.5)TiO_3陶瓷系统PTCR性能的研究  被引量:3

Study on Positive Temperature Coefficient of Resistivity Behavior of Nb-doped BaTiO_3-Bi_(0.5)K_(0.5)TiO_3 Ceramics

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作  者:韦继锋[1] 蒲永平[1,2] 毛玉琴[1] 

机构地区:[1]陕西科技大学材料科学与工程学院,西安710021 [2]教育部轻化工助剂化学与技术重点实验室,西安710021

出  处:《人工晶体学报》2010年第B06期145-148,共4页Journal of Synthetic Crystals

基  金:教育部科学技术研究重点项目(No.209126);陕西省科技厅工业攻关项目(No.2010K10-14);陕西省教育厅科研专项基金项目(No.112H011);陕西科技大学研究生创新基金

摘  要:采用固相反应法制备了Nb2O5掺杂的(1-x)BaTiO3-xBi0.5K0.5TiO3(BT-BKT,0≤x≤0.02)系统陶瓷,研究了Nb2O5和BKT掺杂量对该系统陶瓷显微结构和电性能的影响。结果表明:BaTiO3陶瓷的晶格轴率c/a值随着BKT含量的增加而变大,陶瓷具有良好的晶粒和明显的晶界。BT-BKT陶瓷的居里温度(Tc)也随着BKT的加入向高温移动,当x=0.01时,Tc提高到150℃,但室温电阻率(ρRT)随着BKT含量的增加也快速增大。Nb-doped ( 1 -x) BaTiO3-xBi0.5 K0.5 TiO3 ( BT-BKT, 0 ≤ x ≤0.02 ) ceramics were prepared by solid-state reaction method. The Nb205 and BKT doping content on the microstructure and electrical properties of BT-BKT ceramics were investigated. The XRD results indicated that BT phase and BKT phase formed a solid solution during sintering. The axial ratio c/a of BaTiO3 increased as the BKT content increasing. The Curie temperature ( Tc ) shifted to a high temperature with the addition of BKT. The Tc increased to 150 ℃ with x = 0.01 BKT-doping. However, the room temperature resistivity (PRT) raised sharply as the BKT addition amount increasing.

关 键 词:BaTiO3-Bi0.5 K0.5TiO3 陶瓷 正温度系数电阻率 居里温度 

分 类 号:TM283[一般工业技术—材料科学与工程]

 

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