也谈电磁炉IGBT管击穿检修方法  

作　　者：吴明 

出　　处：《家电检修技术》2010年第8期44-44,共1页

摘　　要：IGBT管是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式电力电子器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，因而被广范应用于电磁炉电路中，现以半球19B电磁炉为例，在故障中，占有相当比例。

关 键 词：IGBT管 电磁炉 检修方法 MOSFET 击穿 电力电子器件 双极型三极管 高输入阻抗 

分 类 号：TN386.1[电子电信—物理电子学]