薄膜电致发光器件中电子输运的瞬态过程  

作　　者：赵辉[1] 王永生[1] 徐征[1] 徐叙瑢[1] 

机构地区：[1]北方交通大学光电子技术研究所,北京100044

出　　处：《中国科学（E辑）》1999年第2期174-179,共6页Science in China(Series E)

基　　金：国家"八六三"高科技计划资助项目;国家教育委员会博士点基金资助项目

摘　　要：利用MonteCarlo方法 ,研究了薄膜电致发光器件中电子输运的瞬态过程 ,得出了电子平均动能、平均漂移速度及能谷转移过程随时间的变化规律 .电子输运的瞬态时间约为 2 0 0fs,瞬态长度约为 30～ 40nm .界面发射出的电子平均动能只影响瞬态过程 ,对稳态的动能无影响 .进而提出了死层现象是由于电子输运的瞬态性质形成的 ,是这类器件的本征性的特点 .并对漂移速度尖峰的形成原因给出了新的解释 .

关 键 词：电子输运 瞬态过程 TFELD 电致发光器件 

分 类 号：TN383.1[电子电信—物理电子学]